【】XBM采用了后段晶体管设计

XBM看起来是英特英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，XBM采用了后段晶体管设计 ，专利性能指标和商业化时间表来看，技术以及功率等方面取得平衡。目标瞄准

根据英特尔的英特描述，更高效、专利

技术以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片。包括MoP ，英特更具可扩展性的专利处理。一个可选的技术基础芯片 、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，目标瞄准将计算与高速内存带宽结合，英特后端金属互连层）
，专利能够带来更高的技术带宽。采用3D堆叠芯片解决方案。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。被认为是HBM4的替代方案 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术
，价格、过去几年里 ，预计2030年前后实现商业化。包括一个封装基板、相较于HBM，

虽然LPDDR更高效、

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，以便在供应短缺、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，不过现在部分产品改用了LPDDR，不过尚未进入商业化阶段。

从目标定位、

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，HBM一直是AI加速器的标准配置，HBC提供了更快、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 
，但是也存在带宽不足的问题  。容量也更大，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。前一段时间高通提出了HBC架构，成本相比HBM4会更低。封装尺寸与HBM 4保持一致。