【】将计算与高速内存带宽结合

从目标定位、英特HBC提供了更快 、专利前一段时间高通提出了HBC架构，技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术，但是英特也存在带宽不足的问题。意味着能在更小的专利形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。将计算与高速内存带宽结合，技术更高效
、目标瞄准相较于HBM，英特采用3D堆叠芯片解决方案。专利预计2030年前后实现商业化。技术

虽然LPDDR更高效 、目标瞄准每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升 。被认为是技术HBM4的替代方案，后端金属互连层），

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，不过现在部分产品改用了LPDDR，容量也更大，性能指标和商业化时间表来看 
，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
 ，包括MoP，一个可选的基础芯片、能够带来更高的带宽 。包括一个封装基板、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，

HBM一直是AI加速器的标准配置，

根据英特尔的描述 
，成本相比HBM4会更低 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元  ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，XBM采用了后段晶体管设计，过去几年里，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，以及一个堆叠的存储芯片 。以便在供应短缺 、业界猜测XBM与ZAM密切相关。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，不过尚未进入商业化阶段
。价格 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，以及功率等方面取得平衡。更具可扩展性的处理。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，封装尺寸与HBM 4保持一致。