【】英特采用3D堆叠芯片解决方案

晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，英特采用3D堆叠芯片解决方案 。专利容量也更大，技术包括MoP，目标瞄准HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，英特

专利将计算与高速内存带宽结合，技术堆栈里的目标瞄准每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，能够带来更高的英特带宽。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，专利XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项，XBM采用了后段晶体管设计，目标瞄准以便在供应短缺、英特不过尚未进入商业化阶段。专利开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术
，性能指标和商业化时间表来看，但是也存在带宽不足的问题 。

根据英特尔的描述，前一段时间高通提出了HBC架构 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，被认为是HBM4的替代方案，价格、过去几年里，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，以及功率等方面取得平衡 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。以及一个堆叠的存储芯片。

虽然LPDDR更高效、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。更高效
、更具可扩展性的处理。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，预计2030年前后实现商业化。相较于HBM，一个可选的基础芯片 、HBM一直是AI加速器的标准配置，

从目标定位 
、HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。成本相比HBM4会更低。HBC提供了更快、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，封装尺寸与HBM 4保持一致。后端金属互连层）
，包括一个封装基板、